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[发明专利]使用共源共栅功率级提高功率转换器效率的系统和方法-CN202211617772.0在审
发明人： R·尼科尔森;F·元 -专利权人：予力半导体公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：在一个方面，所述电路包括第一功率级和第二功率级，所述第一功率级包括具有第一栅极端子、第一漏极端子和第一源极端子的第一开关，以及具有第二栅极端子、第二漏极端子和第二源极端子的第二开关，所述第一源极端子耦合到所述第二漏极端子，所述第二功率级包括具有第三栅极端子、第三漏极端子和第三源极端子的第三开关，以及具有第四栅极端子、第四漏极端子和第四源极端子的第四开关，所述第三源极端子耦合到所述第四漏极端子，其中所述第二功率级并联耦合到所述第一功率级，使得所述第一漏极端子耦合到所述第三漏极端子，并且所述第二源极端子连接到所述第四源极端子。
使用共源共栅功率提高转换器效率系统方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110654837.8在审
发明人：乔治奥斯韦理安尼堤斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：栅极结构以及源极端子和漏极端子位于绝缘介电层中，并且源极端子和漏极端子分别位于栅极结构的两个相对端处。沟道区夹置在栅极结构与源极端子和漏极端子之间且环绕栅极结构。沟道区在源极端子与漏极端子之间延伸。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]麦克风传感器用读出电路-CN202211643302.1在审
发明人：成准济;朴永彩 -专利权人： FYD股份有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：本发明一实施例的麦克风传感器用读出电路设置有用于从麦克风传感器接收检测信号的输入端子及用于输出检测信号的输出端子，包括：第一晶体管，第一栅极端与输入端子连接，第一源极端与输出端子及电源端子连接，第一漏极端与接地连接；第二晶体管，第二漏极端与输出端子及第一源极端连接，第二源极端与电源端子连接，第二栅极端与基准端子连接；第三晶体管，第三漏极端与第一源极端、第二漏极端及输出端子连接，第三栅极端与基准端子连接，第三源极端与接地连接；第四晶体管，第四漏极端与基准端子及电源端子连接，第四栅极端与输出端子、第三漏极端连接，第四源极端与第一漏极端连接；以及二极管部，与第四漏极端、第四源极端及第一漏极端连接。
麦克风传感器用读出电路

[发明专利]共源共栅半导体器件及其制造方法-CN202010284962.X在审
发明人：里卡多·杨多克;马诺耶·巴拉克瑞南 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及一种离散共源共栅半导体器件以及相关的制造方法，该器件包括：高电压耗尽型器件管芯，其具有布置在其第一主表面上的栅极端子、源极端子和漏极端子；低电压增强型器件管芯，其具有形成在其第一主表面上的栅极端子和源极端子以及形成在与第一主表面相对的第二主表面上的漏极端子；其中，高电压器件管芯的漏极端子安装在漏极连接上；低电压器件管芯的源极端子和高电压器件的栅极端子安装在共源极连接上；并且低电压器件管芯的漏极端子安装在高电压器件的源极端子上。
共源共栅半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种SiC MOSFET功率模块的结构-CN202220712885.8有效
发明人：於正新;许海东 -专利权人：南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SiC MOSFET功率模块的结构，包括底板、DBC基板、SiC MOSFET芯片、第一二极管、源极端子、漏极端子、源极信号端子和栅极信号端子；底板上焊接DBC基板，所述DBC基板上焊接SiC MOSFET芯片、第一二极管、源极端子、漏极端子、源极信号端子和栅极信号端子，SiC MOSFET芯片与源极端子、源极信号端子和栅极信号端子连接，第一二极管与漏极端子连接，源极端子和源极信号端子连接
一种 sic mosfet 功率模块结构

[发明专利]混合存储器以及基于MTJ的MRAM位单元和阵列-CN201410811852.9有效
发明人： S·马尼帕特鲁尼;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明描述了用于混合eDRAM和MRAM存储器单元的装置，其包括：具有第一端子和第二端子的电容器；第一晶体管，其具有耦合到第一字线(WL)的栅极端子、耦合到位线(BL)的源极端子/漏极端子、和耦合到所述电容器的所述第一端子的漏极端子/源极端子；具有第一端子和第二端子的电阻存储器元件，所述电阻存储器元件器件的所述第一端子耦合到所述电容器的所述第一端子；以及第二晶体管，其具有耦合到第二WL的栅极端子、耦合到源线(SL)的源极端子/漏极端子、和耦合到所述电阻存储器元件器件的所述第二端子的漏极端子/源极端子。
耦合到漏极端子源极端子电容器电阻存储器元件栅极端子晶体管混合存储器端子耦合耦合位单元源线字线

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310410073.3有效
发明人：外村文男;石井秀雄;太田毅 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：第一源极端子和第一栅极端子形成在第一区域中。在第二区域中，第二源极端子和第二栅极端子被布置为在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向上对齐。温度检测二极管被布置在第一源极端子和第二源极端子之间。温度检测二极管的第一端子和第二端子在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向的第一方向上或基本上与其垂直的第二方向上对齐。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]存储具有负微分电阻材料的存储器-CN201280074223.1在审
发明人：马修·D·皮克特 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种存储器单元包括：晶体管，具有第一源极/漏极端子，所述第一源极/漏极端子利用半导体材料与第二源极/漏极端子分隔开；栅极端子，被放置在所述半导体材料附近使得栅极端子电压的增加会增加所述半导体材料的导电率；并且所述第一源极/漏极端子串联连接到负微分电阻材料。
存储具有微分电阻材料存储器

[发明专利]用于控制功率半导体开关的电路装置和方法-CN202010354267.6有效
发明人： A.梅尔柯尼扬 -专利权人：西门子股份公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于控制功率半导体开关的电路装置和方法，开关包括栅极端子、源极端子和漏极端子以及在源极和漏极端子之间形成的导电沟道，该电路装置包括：‑用于产生控制信号的部件，控制信号使半导体开关在接通状态和断开状态之间交替；‑电流源，用于产生到栅极端子中的电流；‑评估单元，其被布置为用于：‑‑在半导体开关处于接通状态时，测量栅极端子与源极端子和漏极端子中的一个之间的电压，‑‑根据所测量的电压和来自电流源的电流，确定半导体开关的绝对温度
用于控制功率半导体开关电路装置方法

[发明专利]场效应磁传感器-CN201110429504.1有效
发明人：吉尔贝托·库拉托拉;维克多·齐伦;安科·黑林格 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：根据一个或多个示例实施例，通过使用针对第一和第二端子中的每个端子的独立沟道区中的反型层来控制在第一和第二源极/漏极端子与第三源极/漏极端子之间的相应的电流流动。响应于磁场，使得在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子之一之间传送的电流量大于在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子中的另一个源极/漏极端子之间传送的电流量。
场效应传感器

[发明专利]偏置电流电路、信号处理装置及偏置电流控制方法-CN201780026812.5有效
发明人：加贺野未来;尾込智和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H03F3/343 文献下载
摘要：偏置电流电路(116)包括：将电流源(201)连接到漏极端子和栅极端子的N型MOSFET(202)；及将偏置电流的输出端子(212、213)连接到漏极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(203、204偏置电流电路(116)还包括：将漏极端子和源极端子中的任一方及另一方连接到N型MOSFET(202)及N型MOSFET(203、204)的栅极端子的N型MOSFET(205)；及将漏极端子连接到N型MOSFET(203、204)的栅极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(206)。将在提供偏置电流时变成低电平、在停止偏置电流时变成高电平的控制信号输入到N型MOSFET(206)的栅极端子，将控制信号的反转信号输入到N型MOSFET(205)的栅极端子。
偏置电流电路信号处理装置控制方法

[发明专利]半导体集成电路-CN02150387.7有效
发明人：石井敏挥 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2002-11-11 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：在设置了恒流电路的半导体集成电路中，上述恒流电路具有共用栅极端子和源极端子的多个恒流元件。在上述栅极端子和上述源极端子的一方的端部配置的上述恒流元件的分岔的漏极端子，配置在上述栅极端子和源极端子的两端。
半导体集成电路

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110295337.X在审
发明人：乔治奥斯·韦理安尼堤斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件包括半导体沟道层、栅极结构、复合物区域、源极端子和漏极端子。栅极结构设置在半导体沟道层上。源极端子和漏极端子设置在半导体沟道层上。复合物区域分别设置在源极端子和半导体沟道层之间以及漏极端子和半导体沟道层之间。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]双向MOSFET开关-CN201821359310.2有效
发明人： J-P·埃格蒙特;J·C·J·杰森斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：为了提高反向电流的电流监测准确性，提供具有减少的体电流的双向MOSFET开关，开关的特征在于包括：第一类型的半导体的体区，将第二类型的半导体的源极区和漏极区分开，体区连接到体端子，源极区连接到源极端子，且漏极区连接到漏极端子；第二类型的半导体的隐埋层，将体区与第一类型的半导体的衬底分开，隐埋层耦接到隐埋层端子；栅极端子，可驱动以在体区中形成沟道从而启用源极端子与漏极端子之间的导通；第一配置开关，在源极端子电压超过漏极端子电压时将体端子从源极端子断开连接；以及第二配置开关，在源极端子电压超过漏极端子电压时将体端子连接到隐埋层端子。
源极端子漏极端子隐埋层体区半导体体端子电流监测体电流源极区断开连接反向电流反向偏置栅极端子漏极区衬底导通沟道漏极配置驱动

[发明专利]电化学FET传感器-CN202080062414.0在审
发明人： S·莱夫勒;I·塔米尔;D·施赖伯;H·马萨萨 -专利权人：曲莱博医疗有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：一种传感器包括：工作电极，该工作电极与分析物溶液接触；放大器，包括：源极端子；漏极端子；背栅端子；以及纳米线，每个纳米线将源极端子电连接至漏极端子；以及绝缘体，该绝缘体具有第一侧和第二侧。源极端子、漏极端子和纳米线位于绝缘体的第二侧。绝缘体防止工作电极、分析物溶液和源极端子、漏极端子或纳米线之间的直接电接触。工作电极被配置使得当化学物质存在于分析物溶液中时，在纳米线的位置引发电场的变化，从而引发源极端子与漏极端子之间相应的电流变化。
电化学 fet 传感器

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